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手机存储跳跃! SK Hynix消除了321 CAPAS UFS 4.1的4D闪

根据Kuai技术的说法,5月23日,SK Hynix宣布它是基于新一代UFS 4.1存储解决方案,基于321层堆叠的4D NAND闪光内存,该闪光灯将于2026年第一季度到达。SKHynix表示,新的存储器芯片表示,新的记忆芯片厚度超过0.85 mm,比以前的1.0毫米均超过15%的速度,可允许以前的1.0毫米级别的238级尺寸,这是238层,均可堆放的速度,这是238层的堆放量。至4.3GB/s。这种性能超过了最佳的SSD PCIE 3.0。同时,随机读取和写作性能分别提高了15%和40%,这使其更适合于经常读取和编写小文件的设备等设备,但没有披露特定的数据。 SK Hynix说,从能源效率的角度来看,它将增加7%。这将有助于延长电池寿命,但没有给出具体的数据。但是,堆叠层的数量增加了,总容量确实已更改。目前,它仍然是512GB aND 1TB。 [本文的结尾]如果您需要重印,请务必向我们展示其来源:Kuai技术编辑:Shangfang Wenq